特許
J-GLOBAL ID：200903049884742077

高エネルギー線入射位置検出素子及び装置

発明者：
山村 和久

山村 和久 について


出願人/特許権者：
浜松ホトニクス株式会社

浜松ホトニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-152211
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340835
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：
【要約】【課題】 長寿命の高エネルギー線入射位置検出素子を提供する。【解決手段】 高エネルギー線入射位置検出素子において、高エネルギー線の入射に応じてキャリアを発生する半導体基板1の厚みの1.8%以上93%以下に高濃度半導体領域3の厚みを設定することにより、その寿命を飛躍的に延ばすことが可能となる。
請求項（抜粋）：
高エネルギー線の入射に応じてキャリアを発生する半導体基板の表面側に、該半導体基板と接合を構成し該キャリアの流入する表面層を位置検出方向に沿って形成し、前記半導体基板の裏面側に該半導体基板よりも高不純物濃度の高濃度半導体領域を形成してなる高エネルギー線入射位置検出素子において、前記高濃度半導体領域の厚みは、前記半導体基板の厚みの1.8%以上93%以下であることを特徴とする高エネルギー線入射位置検出素子。
IPC (2件)：
H01L 31/16 ,  H01L 31/09
FI (2件)：
H01L 31/16 B ,  H01L 31/00 A
Fターム (9件)：
5F088AA02 ,  5F088AB02 ,  5F088BA13 ,  5F088BB02 ,  5F088CB09 ,  5F088DA01 ,  5F088FA05 ,  5F088FA09 ,  5F088GA04
引用特許：
審査官引用 (13件)
  • 広域型放射線検出器
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-231423   出願人：三菱電機株式会社
  • 特開昭63-120272
  • 特開昭63-120272
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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