薄膜トランジスタとその製造方法及び表示装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：山下穣平 , 永井道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-271316
公開番号（公開出願番号）：特開2009-099847
出願日： 2007年10月18日
公開日（公表日）： 2009年05月07日
要約：

【課題】電気的ストレスに対し、より安定なa-IGZO系薄膜トランジスタと、それを使用した表示装置を得る。【解決手段】活性層がIn、Znを含み構成されたアモルファス酸化物である薄膜トランジスタであって、活性層の形成後に活性層に電気特性を安定化させるためのエネルギーを付与し、エネルギーを付与した活性層が、エネルギーを付与しない活性層に対して、昇温脱離分析により、温度範囲200°Cから700°Cにおいて1.05倍よりも多いZnを脱離する薄膜トランジスタ。活性層がIn,Znを含むアモルファス酸化物で構成された薄膜トランジスタの製造方法であって、活性層を形成する工程の後に活性層に電気特性を安定化させるためのエネルギーを付与する工程を含む薄膜トランジスタの製造方法。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

活性層がIn、Znを含み構成されたアモルファス酸化物である薄膜トランジスタであって、前記活性層の形成後に前記活性層に電気特性を安定化させるためのエネルギーを付与し、前記エネルギーを付与した活性層が、前記エネルギーを付与しない活性層に対して、昇温脱離分析により、温度範囲200°Cから700°Cにおいて1.05倍よりも多いZnを脱離することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 51/50

FI (2件)：

H01L29/78 618B , H05B33/14 A

Fターム (49件)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC21 , 3K107EE03 , 3K107FF05 , 3K107GG00 , 3K107HH05 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF28 , 5F110GG04 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN16 , 5F110NN23 , 5F110NN34 , 5F110QQ04 , 5F110QQ05 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (1件)

電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-325364 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学

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