特許

J-GLOBAL ID：200903074628902185

電界効果型トランジスタ

発明者： 長田 芳幸 ,  細野 秀雄 ,  神谷 利夫 ,  野村 研二
出願人/特許権者： キヤノン株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
代理人 (3件)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-325364
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165527
出願日： 2005年11月09日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：

【課題】新規なトランジスタを提供する。【解決手段】ソース電極708、ドレイン電極709、ゲート電極712、及び電子キャリア濃度が1018/cm3未満である非晶質酸化物を含む活性層を備え、且つ該ゲート電極と、該ソース及びドレイン電極が自己整合していることを特徴とする。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

電界効果型トランジスタであって、 ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、及び 電子キャリア濃度が1018/cm3未満である非晶質酸化物を含む活性層を備え、且つ 該ゲート電極と、該ソース及びドレイン電極とが自己整合していることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49

FI (5件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 616K ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/58 G

Fターム (40件)：

4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104CC05 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  5F110AA01 ,  5F110AA02 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB20 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-096983   出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (4件)

• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-081483   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 特開平3-290622
  
• 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-068270   出願人：新技術事業団
• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-086175   出願人：ミノルタ株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 高移動度(>10cm2/Vs)を有するアモルファス酸化物半導体InGaZnO4の室