動作に関する単一ビット及び多重ビットモ-ドを具えた不揮発性半導体メモリ装置及びそのプログラミング移行及び読出動作方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-102950
公開番号（公開出願番号）：特開平11-339486
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】多重-ビットセル当たりデータ状態に関係なしに改善された速度で、単一-ビット遂行が可能な単一-ビット及び多重ビットモードを有する非揮発性半導体メモリを提供すること。【解決手段】ノーマルデータを貯蔵するため使用されるメモリフィールドと、デバイスデータをデバイスフォーミュレーション又はアドレスマッピングに対するデバイスデータを貯蔵するため使用される冗長フィールドを具えた非揮発性メモリセルアレーと、前記メモリフィールドに連結された多数の第1ページバッファと、前記冗長フィールドに連結された多数の第2ページバッファを具えたページバッファ回路とを含み、前記単一-ビット動作区間は、前記多重-ビットの動作区間と異なることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

不揮発性半導体メモリにおいて、ノーマルデータを貯蔵するため使用されるメモリフィールドと、デバイスデータをデバイスフォーミュレーション又はアドレスマッピングに対するデバイスデータを貯蔵するため使用される冗長フィールドを具えた不揮発性メモリセルアレーと、前記メモリフィールドに連結された多数の第1ページバッファと、前記冗長フィールドに連結された多数の第2ページバッファを具えたページバッファ回路とを含み、前記単一-ビット動作区間は、前記多重-ビットの動作区間と異なることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

IPC (8件)：

G11C 16/02 , G11C 16/04 , G11C 16/06 , G11C 29/00 603 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (6件)：

G11C 17/00 641 , G11C 29/00 603 Z , G11C 17/00 622 E , G11C 17/00 639 A , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-020821 出願人：日本電気株式会社
不揮発性半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-135814 出願人：株式会社東芝

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