特許

J-GLOBAL ID：200903096719636252

半導体記憶装置

発明者： 橋本 潔和
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-020821
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213079
出願日： 1996年02月07日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】 高速読み出しメモリ領域と大容量メモリ領域を有する半導体記憶装置において、大容量、小型化、高速化を可能にする半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 高速読み出しメモリ領域を通常の2値のセルを用いてNOR型に構成し、大容量メモリ領域を多値セルを用いてNOR型に構成し、これらを混在させて1チップの半導体記憶装置としている。

請求項（抜粋）：

1チップに多値セルをNOR型に配列したメモリ領域と通常セルをNOR型に配列したメモリ領域とを有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/41 ,  G01L 27/00

FI (2件)：

G11C 11/40 Z ,  G01L 27/00

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-122014   出願人：新日本製鐵株式会社
• 特開平3-237692