スパッタ処理応用のプラズマ処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：田宮寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-144954
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156374
出願日： 1999年05月25日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】高いイオン集中、より良いターゲット利用効率、高い成膜速度、そして、成膜の厚みが均一性が得られるプラズマ・スパッタ処理装置を提供する。【解決手段】スパッタリング処理応用のプラズマ処理装置は反応容器の内部空間の少なくとも一部を介して平行に互いに向かい合う上部電極1と下部電極23を備えてなる当該反応容器100と上部電極に固定されたターゲットプレート7とを備え、スパッタ工程によって処理される必要のある基板27は下部電極の上に搭載される。HF領域またはVHF領域で動作する1つの第1のrf電源18とMF領域で動作する他のrf電源が上部電極に接続される。

請求項（抜粋）：

少なくとも反応容器の内部空間の一部を介して互いに平行に向かい合う上部電極と下部電極を備えてなる当該反応容器と、前記上部電極に固定されたターゲットプレートとを備えてなり、前記下部電極の上に搭載された基板がスパッタリングの工程によって処理されるプラズマ処理装置であり、前記上部電極に接続されかつHF領域またはVHF領域で動作する第1のrf電源と、前記上部電極に接続されかつMF領域で動作する第2のrf電源とによって構成されるスパッタ処理応用のプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 , C23C 14/35 , C23C 14/40 , H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/31 D , C23C 14/35 B , C23C 14/40 , H05H 1/46 M

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平1-279753
特開昭62-287071
特開平3-185713

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審査官引用 (9件)

特開平1-279753
特開昭62-287071
特開平3-185713

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