特許

J-GLOBAL ID：200903049974874681

半導体装置の製造方法

発明者： 中西 俊郎 ,  田村 泰之 ,  大久保 聡 ,  渡辺 悟 ,  入野 清
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-287484
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129632
出願日： 1995年11月06日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】 TDDB寿命の長い良質の酸化膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 処理対象物の表面を、少なくともオゾンと不活性ガスとを含む混合ガスに、大気圧下で接触させて、該処理対象物の表面を酸化する工程を含む。

請求項（抜粋）：

処理対象物の表面を、少なくともオゾンと不活性ガスとを含む混合ガスに、大気圧下で接触させて、該処理対象物の表面を酸化する工程を含む半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/316 A ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-145624
  
• 特開平3-134153
  
• シリコン酸化膜の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-231944   出願人：富士通株式会社