特許
J-GLOBAL ID：200903049998488324
フッ素含有シリコン酸化膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-059798
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236519
出願日： 1995年02月23日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【構成】 プラズマ化学気相成長法により基板上にフッ素含有シリコン酸化膜を製造する方法において、トリアルコキシシランおよび酸化性ガスからなる原料ガスに、フルオロカーボンを添加せしめて用いることを特徴とするフッ素含有シリコン酸化膜の製造方法。【効果】 成膜速度が大きいので高い生産性で含フッ素シリコン酸化膜を基材上に得ることができる。また得られた膜は、フッ素含有量が多く、低誘電率の良質なフッ素含有シリコン酸化膜であり、さらに、含有水分量は小さくかつ吸湿性の少ないものである。
請求項（抜粋）：
プラズマ化学気相成長法により基板上にフッ素含有シリコン酸化膜を製造する方法において、トリアルコキシシランおよび酸化性ガスからなる原料ガスに、フルオロカーボンを添加せしめて用いることを特徴とするフッ素含有シリコン酸化膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/316 X
, C23C 16/50
