成膜装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-014996
公開番号（公開出願番号）：特開平10-212574
出願日： 1997年01月29日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：

【要約】【課題】壁部2がアース電位とされた真空室1内に、成膜材料からなるターゲット8が付設されたカソード電極5を設置し、マグネット16の磁場による電極5からの放電によりターゲット8の表面8aをスパッタリングして、真空室1内の基板Sに成膜を行う場合、電極5の放電域を制限するためのアースシールド14の高さを低くして真空室1内の有効利用を図りつつ、カソード電極5とアースシールド14との成膜材料やダスト等による短絡を防止し、長時間に亘り安定した連続成膜を行う。さらにターゲット8の利用効率を高め、ターゲット8の放電パワーの増大によるロスを低減する。【解決手段】ターゲット8の外周側面におけるターゲット表面8a側に、ターゲット8の外周全体に亘りフランジ部9を突設し、このフランジ部9の裏面側にアースシールド14の内周縁部14をターゲット8と間隔をあけて配置する。

請求項（抜粋）：

真空室に、成膜材料からなるターゲットが裏面にて固定された電極を設置し、該電極からの放電により上記ターゲットの表面をスパッタリングして、真空室内に配置した基板に成膜を行うようにした成膜装置において、上記ターゲットの外周側面におけるターゲット表面側に、他の部分よりもターゲット外側に突出するフランジ部を設け、上記電極の放電域を制限するアースシールドを、上記ターゲットのフランジ部裏面側にターゲットと所定の間隔をあけて対向配置したことを特徴とする成膜装置。

IPC (3件)：

C23C 14/34 , H01L 21/203 , H01L 21/285

FI (3件)：

C23C 14/34 C , H01L 21/203 S , H01L 21/285 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

スパッタカソード
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-355956 出願人：日本真空技術株式会社
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-312169 出願人：日新電機株式会社
特開平2-285075

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