特許

J-GLOBAL ID：200903050027543912

プラズマ処理装置

発明者： 林 大輔 ,  永関 一也
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (3件)： 亀谷 美明 ,  金本 哲男 ,  萩原 康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-154844
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356531
出願日： 2003年05月30日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】処理室内で発生したプラズマの荷電粒子がガス導入部内に入り込むことを完全に防止する。【解決手段】処理室110内に配設された上部電極(シャワーヘッド)138のガス導入孔から導入した処理ガスをプラズマ化して,処理室内に配設された半導体ウエハWに対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって,ガス導入部のガス通気孔156aに,処理室内で発生したプラズマ中の荷電粒子がガス導入部内へ侵入することを防止する埋込部材200を交換可能に装着した。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

処理室内に配設されたガス導入部のガス導入孔から導入した処理ガスをプラズマ化して,前記処理室内に配設された被処理体に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置であって, 前記ガス導入部のガス導入孔に,前記処理室内で発生したプラズマ中の荷電粒子がガス導入部内へ侵入することを防止する埋込部材を交換可能に装着したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H05H1/46

FI (3件)：

H01L21/302 101G ,  C23F4/00 A ,  H05H1/46 A

Fターム (23件)：

4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BC06 ,  4G075CA47 ,  4G075DA02 ,  4G075EB01 ,  4G075EE01 ,  4G075FA01 ,  4K057DD01 ,  4K057DD03 ,  4K057DM02 ,  4K057DM37 ,  5F004AA16 ,  5F004BA08 ,  5F004BA09 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004CA06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-080075   出願人：アネルバ株式会社
• プラズマプロセス装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-339785   出願人：大見忠弘, シャープ株式会社