特許
J-GLOBAL ID：200903050045955187
ダイナミックランダムアクセスメモリ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-144044
公開番号（公開出願番号）：特開平5-342862
出願日： 1992年06月04日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【構成】 改善されたリフレッシュコントロール回路20を備えたダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)が開示される。セルフリフレッシュコントロール回路15は、通常のセルフリフレッシュモードにおけるリフレッシュ周期を規定するクロック信号φ0を発生する発振回路13と、テストモードにおけるリフレッシュ周期を規定するクロック信号φtを発生する発振回路16とを備える。電源電圧Vccレベルよりも高い高電圧がRAS入力端子22に与えられたとき、テストモード検出回路19が高レベルの信号CTEを出力し、トランスミッションゲート18がオンする。【効果】 セルフリフレッシュ機能確認テストにおいて、リフレッシュカウンタが通常のセルフリフレッシュモードにおけるよりもより短いリフレッシュ周期を有するリフレッシュアドレスを発生できるので、テストを行なうのに要する時間が短縮され得る。
請求項（抜粋）：
セルフリフレッシュ機能を有するダイナミックランダムアクセスメモリ装置であって、行および列に配設された複数のメモリセルを備えたメモリセルアレイと、与えられたクロック信号に応答して、リフレッシュアドレス信号を発生するリフレッシュアドレス発生手段と、リフレッシュアドレス信号に応答して、前記メモリセルアレイ内のリフレッシュされるべきメモリセルを指定する指定手段と、通常のセルフリフレッシュモードにおけるリフレッシュ周期を規定する第1の周波数を有する第1のクロック信号を発生する第1のクロック信号発生手段と、前記第1の周波数よりも高い第2の周波数を有する第2のクロック信号を発生する第2のクロック信号発生手段と、外部から与えられるテストモード信号に応答して、前記第1および第2のクロック信号の一方を選択的に前記リフレッシュアドレス発生手段に与える選択的供与手段とを含む、ダイナミックランダムアクセスメモリ装置。
IPC (2件)：
G11C 11/403
, G11C 11/401
G11C 11/34 363 M
, G11C 11/34 371 A
