特許

J-GLOBAL ID：200903050046478773

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ

発明者： 鴨川 弘幸
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-217487
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049166
出願日： 1998年07月31日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】 コレクタコンタクト層を介して電流を取出す際のロスが少なく電流利得の高いヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】 エピタキシャル層からなるコレクタコンタクト層5と、そのエピタキシャル層を成長させる半絶縁性GaAsウェハ6との間のエピ/サブ界面に、Seのプレーナドープ層7を設けることにより、エピ/サブ界面の電子トラップ準位が減少し、コレクタ電流IB が増加するので、コレクタコンタクト層5を介して電流を取出す際のロスが少なくなり、高い電流利得を得ることができる。

請求項（抜粋）：

気相エピタキシャル法によって得られるヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハにおいて、エピタキシャル層からなるコレクタコンタクト層と、そのエピタキシャル層を成長させる基板との間のエピ/サブ界面に、Seのプレーナドープ層を設けたことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ。

IPC (4件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/205

FI (3件)：

H01L 29/72 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/205

Fターム (11件)：

5F003BA06 ,  5F003BC02 ,  5F003BE04 ,  5F003BF06 ,  5F003BM02 ,  5F003BM03 ,  5F003BP08 ,  5F003BP32 ,  5F052DA04 ,  5F052DB06 ,  5F052JA05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-370930
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-054758   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平4-370930