特許
J-GLOBAL ID：200903050050910230
半導体装置の接合方法及び接合構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
飯阪 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-346732
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156794
出願日： 2004年11月30日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：
【課題】 接合部を保護する樹脂材の充填性を高め、且つ信頼性にも優れた半導体装置の接合方法及び接合構造を提供すること。【解決手段】 バンプ2を半導体装置1に形成する工程と、バンプ2を覆うように第1の樹脂材3を半導体装置1のバンプ形成面1aに形成した後、第1の樹脂材3を硬化させる工程と、バンプ2の先端部2bを第1の樹脂材3から露出させる工程と、露出された先端部2bを接合対象物11に形成された導体部12に押し当てた状態で溶融させて接合させる工程と、未硬化状態で先端部2bを覆った後、接合時に硬化されて第1の樹脂材3の厚さよりも小さい第1の樹脂材3と接合対象物11の導体部形成面11aとの間の間隙を充填する第2の樹脂材4を形成する工程とを有する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体装置を接合対象物に接合させる半導体装置の接合方法であって、
導電性のバンプを前記半導体装置に形成する工程と、
前記バンプを覆うように第1の樹脂材を前記半導体装置のバンプ形成面に形成した後、前記第1の樹脂材を硬化させる工程と、
前記バンプの先端部を前記第1の樹脂材から露出させる工程と、
前記露出された先端部を前記接合対象物に形成された導体部に押し当てた状態で溶融させて接合させる工程と、
未硬化状態で前記先端部を覆った後、接合時に硬化されて前記第1の樹脂材の厚さよりも小さい前記第1の樹脂材と前記接合対象物の導体部形成面との間の間隙を充填する第2の樹脂材を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の接合方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F044KK01
, 5F044LL05
, 5F044LL11
, 5F044QQ04
, 5F044RR17
, 5F044RR19
