特許

J-GLOBAL ID：200903050055268404

液晶表示素子の配向膜製造装置及び液晶表示素子の配向膜製造方法

発明者： 大河内 望 ,  茂田 正信 ,  中西 達司 ,  諸星 孝 ,  細谷 武司 ,  尊田 正美 ,  片山 統康
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-332300
公開番号（公開出願番号）：特開2002-365639
出願日： 2001年10月30日
公開日（公表日）： 2002年12月18日
要約：

【要約】【課題】 基板上に、その柱状構造角度が均一に形成された配向膜を有する液晶表示素子を提供する。【解決手段】 少なくとも2枚の基板2,4間に液晶6を封入してなる液晶表示素子10の配向膜製造方法において、少なくとも1枚の基板2(4)に配向膜14として酸化珪素(SiOx:1.0≦x≦2.0)12を形成する際、まず、基板を搭載した基板トレー33を第一のロードロック室37にて加熱を行い、次に、成膜室41にて加熱下で基板トレーを一方向に連続的又は間欠的に平行移動させながら、酸化珪素を、真空蒸着法により基板表面の法線方向から45°ないし60°の角度から飛散物として照射して、基板表面に酸化珪素の配向膜14を形成し、しかる後、第二のロードロック室50にて基板トレーを冷却することにより、酸化珪素の配向膜が形成された基板2(4)を得る。

請求項（抜粋）：

少なくとも2枚の基板間に液晶を封入してなる液晶表示素子の配向膜製造方法において、前記少なくとも1枚の基板に配向膜として酸化珪素(SiOx:1.0≦x≦2.0)を形成する際、まず、前記基板を搭載した基板トレーを第一のロードロック室にて加熱を行い、次に、成膜室にて加熱下で前記基板トレーを一方向に連続的又は間欠的に平行移動させながら、前記酸化珪素を、真空蒸着法により前記基板表面の法線方向から45°ないし60°の角度より飛散物として照射して、前記基板表面に前記酸化珪素の配向膜を形成し、しかる後、第二のロードロック室にて前記基板トレーを冷却させることにより、酸化珪素の配向膜が形成された基板を得ることを特徴とする液晶表示素子の配向膜製造方法。

IPC (3件)：

G02F 1/1337 515 ,  G02F 1/1337 ,  C23C 14/24

FI (4件)：

G02F 1/1337 515 ,  G02F 1/1337 ,  C23C 14/24 N ,  C23C 14/24 R

Fターム (8件)：

2H090HB03Y ,  2H090HC18 ,  2H090MB06 ,  4K029AA06 ,  4K029AA09 ,  4K029BA46 ,  4K029CA02 ,  4K029DB21

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 液晶表示素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-087793   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 特開昭62-189428
  
• 特開昭63-018325
  
• 特開昭63-313123