特許
J-GLOBAL ID:200903050075948002

半導体装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 滝本 智之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-150621
公開番号(公開出願番号):特開平10-340925
出願日: 1997年06月09日
公開日(公表日): 1998年12月22日
要約:
【要約】【課題】 樹脂基板およびスルーホールを有することにより、半導体装置の小型化には限界があった。【解決手段】 銅板31の表面に形成したメッキ配線層23に半導体素子21を載置し、第1の樹脂25で封止した後に銅板31を溶融除去するか、もしくは第1の樹脂25と密着性の少ない転写板41の表面に形成したメッキ配線層23に半導体素子21を載置し、第1の樹脂25で封止した後に転写板41を剥離除去し、メッキ配線層23の裏面を露出させる。そしてメッキ配線層23の裏面に半田ボール26を接合した後に第2の樹脂27を塗布し硬化することにより、基板、スルーホールを省いた小型の半導体装置を実現できる。
請求項(抜粋):
半導体素子と、前記半導体素子が載置されるメッキ配線層と、前記半導体素子と前記メッキ配線層の表面とを電気的に接続する接続導体と、載置された前記半導体素子及び前記メッキ配線層の表面と前記接続導体素子を保護する第1の樹脂と、前記メッキ配線層の裏面と電気的に接続された外部電極と、前記メッキ配線層の裏面を保護する第2の樹脂とを備えたことを特徴とする半導体装置。
引用特許:
審査官引用 (10件)
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