半導体基板及び電界効果型トランジスタ並びにこれらの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-331289
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133548
出願日： 2001年10月29日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【課題】半導体基板及び電界効果型トランジスタ並びにこれらの製造方法において、貫通転位密度をより低くすること。【解決手段】 Si基板と、該Si基板上のSiGe層2とを備え、該SiGe層は、表面に向けて層内のGe組成比が漸次減少するSiGeの傾斜組成層2aを複数層積層状態にして構成され、これらの傾斜組成層は、各上面のGe組成比が表面に向けて順次増加している。

請求項（抜粋）：

Si基板と、該Si基板上のSiGe層とを備え、該SiGe層は、表面に向けて層内のGe組成比が漸次減少するSiGeの傾斜組成層を複数層積層状態にして構成され、これらの傾斜組成層は、各上面のGe組成比が表面に向けて順次増加していることを特徴とする半導体基板。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/205 , H01L 31/04

FI (3件)：

H01L 21/205 , H01L 29/78 301 B , H01L 31/04 H

Fターム (20件)：

5F045AA06 , 5F045AB01 , 5F045AC01 , 5F045AC18 , 5F045DA58 , 5F051CB09 , 5F051CB12 , 5F051GA04 , 5F140AA01 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BA06 , 5F140BA07 , 5F140BB13 , 5F140BB18 , 5F140BC12 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BK13

引用特許：

審査官引用 (7件)

歪シリコン電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-238755 出願人：株式会社東芝
化合物半導体エピタキシャルウエーハ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-022029 出願人：信越半導体株式会社
ひずみSi/SiGeヘテロ構造層を使用するCMOSトランジスタ論理回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-097158 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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