特許

J-GLOBAL ID：200903050121393428

半導体基材及び半導体基材の製造方法

発明者： 佐藤 信彦 ,  米原 隆夫
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-189422
公開番号（公開出願番号）：特開平9-100197
出願日： 1996年07月18日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：

【要約】【課題】 多孔質シリコン層上により結晶欠陥の低減されたエピタキシャルシリコン層を配することが困難。【解決手段】 多孔質単結晶シリコン層101上に、非多孔質単結晶シリコン層102を成長させて構成する半導体基材の製造方法において、前記非多孔質単結晶シリコン層102の成長速度を、該非多孔質単結晶シリコン層102が前記多孔質単結晶シリコン層101の孔の径に相当する層厚まで成長した時の結晶成長面の残留孔密度が1000/cm2 より少なくなるような小さな値に制御して前記非多孔質単結晶シリコン層102を成長させる。

請求項（抜粋）：

多孔質単結晶シリコン層上に、非多孔質単結晶シリコン層を成長させて構成する半導体基材の製造方法において、前記非多孔質単結晶シリコン層の成長速度を、該非多孔質単結晶シリコン層が前記多孔質単結晶シリコン層の孔の径に相当する層厚まで成長した時の結晶成長面の残留孔密度が1000/cm2 より少なくなるような小さな値に制御して前記非多孔質単結晶シリコン層を成長させることを特徴とする半導体基材の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/06 504 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

C30B 29/06 504 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/12 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体部材及び半導体部材の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-194138   出願人：キヤノン株式会社