半導体基板の粗面化法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-117579
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312665
出願日： 1998年04月27日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：

【要約】【課題】半導体基板の一主面側にRIE工程でムラができるという問題があった。【解決手段】半導体基板の表面を反応性イオンエッチング法で粗面状にする半導体基板の粗面化法において、前記半導基板の表面に酸化膜を形成した後、反応性イオンエッチング法で粗面状にする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面を反応性イオンエッチング法で粗面状にする半導体基板の粗面化法において、前記半導体基板の表面に酸化膜を形成した後、反応性イオンエッチング法で粗面状にすることを特徴とする半導体基板の粗面化法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

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