特許

J-GLOBAL ID：200903050131947731

ハーフトーン型位相シフトマスク及びハーフトーン型位相シフトマスクブランク

発明者： 大久保 靖
出願人/特許権者： ホーヤ株式会社
代理人 (1件)： 阿仁屋 節雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-274616
公開番号（公開出願番号）：特開平7-128840
出願日： 1993年11月02日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 比較的簡単な構成によって、ハーフトーン型位相シフトマスク本来の利点を生かしつつその欠点である露光光の洩れをほぼ完全に防止することができるハーフトーン型位相シフトマスク及びその素材たるハーフトーン型位相シフトマスクブランクを提供する。【構成】 マスクパターン転写領域I内であって、半透光層5と透光部6との境界近傍における光の相殺作用に実質的に寄与しない半透光層5の上又は下、並びに、非転写領域の半透光層5の上又は下に所定以上の幅を有する遮光層7を設けた。

請求項（抜粋）：

微細パターン転写用のマスクであって、透明基板上の転写領域に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる透光部と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半透光部とを有し、この半透光部を通過する光の位相をシフトさせて該半透光部を通過した光の位相と前記透光部を通過した光の位相とを異ならしめることにより、前記透光部と半透光部との境界近傍を通過した光の相殺作用を利用して境界部のコントラストを良好に保持できるようにしたハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、少なくとも前記マスクパターン転写領域内であって、前記透光部と半透光部との境界近傍における光の相殺作用に実質的に寄与しない半透光部の上又は下に遮光層を備えたことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-223464
  
• マスクおよびパタン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-149835   出願人：日本電信電話株式会社