特許

J-GLOBAL ID：200903050132955142

触媒接触型ラジカル生成装置および半導体装置ならびに液晶表示装置

発明者： 尾田 智彦
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 前田 弘 ,  竹内 祐二 ,  米田 圭啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-361244
公開番号（公開出願番号）：特開2006-173242
出願日： 2004年12月14日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：

【課題】複数種類の材料ガスを反応室に導入して触媒体との接触により解離するようにした触媒接触型ラジカル生成装置において、従来の場合よりも高い分解率でもって解離できるようにする。【解決手段】各々、反応室40に複数種類の材料ガスG-1,G-2をそれぞれ導入する複数のガス導入手段50-1,50-2と、反応室40内に各ガス導入手段50-1,50-2毎に1つ以上設けられ、ガス導入手段50-1,50-2により反応室40に導入された材料ガスG-1,G-2を解離可能な触媒体13-1,13-2と、各ガス導入手段50-1(又は50-2)毎に設けられた触媒体13-1(又は13-2)に該ガス導入手段50-1(又は50-2)とは異なる他のガス導入手段50-2(又は50-1)により反応室40に導入された材料ガスG-2(又はG-1)が接触するのを抑える接触抑制手段14とを備えるようにする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

反応室と、 各々、前記反応室に材料ガスを導入する複数のガス導入手段と、 前記反応室内に前記各ガス導入手段毎に1つ以上設けられ、前記複数のガス導入手段により前記反応室に導入された前記材料ガスを解離可能な触媒体と、 前記各ガス導入手段毎に設けられた前記触媒体に該ガス導入手段とは異なる他の前記ガス導入手段により前記反応室に導入された前記材料ガスが接触するのを抑える接触抑制手段とを備えていることを特徴とする触媒接触型ラジカル生成装置。

IPC (6件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/448 ,  G02F 1/13 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/306

FI (6件)：

H01L21/31 B ,  C23C16/448 ,  G02F1/13 101 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304 645C ,  H01L21/302 101H

Fターム (32件)：

2H088FA18 ,  2H088FA30 ,  2H088MA20 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030CA06 ,  4K030FA17 ,  4K030KA49 ,  4K030LA15 ,  5F004AA15 ,  5F004BA19 ,  5F004BB18 ,  5F004BB28 ,  5F004BD04 ,  5F004DA17 ,  5F004DA23 ,  5F004EA35 ,  5F004EA38 ,  5F045AA16 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE07 ,  5F045EF05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 触媒CVD法によるシリコン薄膜の生成方法および薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-055763   出願人：新技術事業団