メモリ装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富村潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-219309
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063293
出願日： 1996年08月01日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】大きなデータ量の記憶を可能にし、またその際に公知の形式の電子的または電子-光学的メモリ装置にくらべて構造的により簡単に構成されている全く新しい形式のメモリ装置を提供する。【解決手段】少なくとも2つの相い異なる情報状態を少なくとも一時的に安定に記憶するための、担体の上に配置された多数のメモリセルと、選択的に多数のメモリセルの1つを外部からの作用により予め定められた情報状態にもたらすための、メモリセルに対応付けられている書込み装置と、選択されたメモリセルの現在または時間的に先行の情報状態を外部でとらえるための、メモリセルに対応付けられている読出し装置とを有し、その際にメモリセルが圧縮性応力のもとにあるマイクロ機械工学的ダイアフラムを有する超小形化された機械的要素を有するメモリ装置において、メモリセルに対応付けられている読出し装置がダイアフラム5から特定の間隔をおいて配置されている電界放出尖端10を有する。

請求項（抜粋）：

少なくとも2つの相い異なる情報状態を少なくとも一時的に安定に記憶するための、担体の上に配置された多数のメモリセルと、選択的に多数のメモリセルの1つを外部からの作用により予め定められた情報状態にもたらすための、メモリセルに対応付けられている書込み装置と、選択されたメモリセルの現在または時間的に先行の情報状態を外部でとらえるための、メモリセルに対応付けられている読出し装置とを有し、その際にメモリセルが圧縮性応力のもとにあるマイクロ機械工学的ダイアフラムを有する超小形化された機械的要素を有するメモリ装置において、メモリセルに対応付けられている読出し装置がダイアフラム(5)から特定の間隔をおいて配置されている電界放出尖端(10)を有することを特徴とするメモリ装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

情報処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-203709 出願人：キヤノン株式会社

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