特許
J-GLOBAL ID：200903050189393523

半導体素子の素子分離膜形成方法

発明者：
童 且 徳

童 且 徳 について


出願人/特許権者：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

株式会社ハイニックスセミコンダクター について


代理人 (2件)： 中川 周吉 ,  中川 裕幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-190164
公開番号（公開出願番号）：特開2004-040104
出願日： 2003年07月02日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：
【課題】トレンチの上部角を傾くように形成して電界の集中及びモウトの形成を防止することが可能な半導体素子の素子分離膜形成方法を提供する。【解決手段】半導体基板上にトンネル酸化膜及びパッド窒化膜を順次形成した後、半導体基板の素子分離領域を露出させる開口部を形成する段階と、素子分離領域にV型トレンチを形成する段階と、開口部の前記パッド窒化膜の側壁に絶縁膜スペーサを形成する段階と、開口部を介して露出されるV型トレンチの底面に酸化促進のためのイオン注入層を形成する段階と、酸化工程により前記V型トレンチに第1絶縁膜を形成する段階と、第1絶縁膜の上部の開口部を第2絶縁膜で埋め込む段階と、パッド窒化膜及びパッド酸化膜を除去する段階とを含む。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
半導体基板上にトンネル酸化膜及びパッド窒化膜を順次形成した後、前記半導体基板の素子分離領域を露出させる開口部を形成する段階と、前記素子分離領域にV型トレンチを形成する段階と、 前記開口部の前記パッド窒化膜の側壁に絶縁膜スペーサを形成する段階と、 前記開口部を介して露出される前記V型トレンチの底面に酸化促進のためのイオン注入層を形成する段階と、 酸化工程により前記V型トレンチに第1絶縁膜を形成する段階と、 前記第1絶縁膜上の前記開口部を第2絶縁膜で埋め込む段階と、 前記パッド窒化膜及び前記パッド酸化膜を除去する段階とを含むことを特徴とする半導体素子の素子分離膜形成方法。
IPC (2件)：
H01L21/76 ,  H01L21/265
FI (2件)：
H01L21/76 V ,  H01L21/265 R
Fターム (11件)：
5F032AA16 ,  5F032AA40 ,  5F032CA03 ,  5F032CA17 ,  5F032DA04 ,  5F032DA22 ,  5F032DA24 ,  5F032DA33 ,  5F032DA44 ,  5F032DA53 ,  5F032DA60
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-312385   出願人：日本電気株式会社
  • 特開昭62-156831
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-122430   出願人：トヨタ自動車株式会社

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