特許

J-GLOBAL ID：200903050215329049

強誘電体デバイス

発明者： 三原 孝士 ,  由森 博之 ,  渡辺 均
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-054007
公開番号（公開出願番号）：特開平8-249876
出願日： 1995年03月14日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】高い分極量を有する強誘電体メモリを提供する。【構成】強誘電体メモリセルは、一対の電極31、32によって強誘電体薄膜35が挟持された構成を有する。強誘電体薄膜35は、2つのほぼ等価な第1と第2の結晶軸(a軸とb軸)を有しており、a軸とb軸とは異なる方向にa軸とb軸を対称軸とする対称性とは異なる対称性を有する第3の結晶軸(c軸)を有している結晶を有している。ここで、c軸が1対の電極31、32により印加される電場に対して略垂直な方向に配向している。

請求項（抜粋）：

一対の電極により挟持された強誘電体薄膜を記憶セルを有する強誘電体デバイスにおいて、前記強誘電体薄膜は、2つのほぼ等価な第1と第2の結晶軸と、前記第1と第2の結晶軸とは異なる方向に前記第1と第2の結晶軸を対称軸とする対称性とは異なる対称性を有する第3の結晶軸とを有している結晶を有しており、前記第3の結晶軸が前記1対の電極により印加される電場に対して略垂直な方向に配向していることを特徴とする強誘電体デバイス。

IPC (8件)：

G11C 11/22 ,  G11C 11/42 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

G11C 11/22 ,  G11C 11/42 B ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特表平7-502150
  
• 特表平7-504784
  
• 二酸化硅素上に成長するc軸ペロブスカイト薄膜
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平6-514148   出願人：ベルコミュニケーションズリサーチインコーポレーテッド