半導体層の膜厚測定方法及び半導体基板の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-215657
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343842
出願日： 2001年07月16日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】干渉情報を取得するタイムラグや光の干渉が弱まる節を考慮して正確に膜厚計測が行えるようにする。【解決手段】活性層6aと支持基板6bとによって酸化膜6cを挟み込んで構成されたSOI基板6に対し、活性層6aの膜厚を測定する膜厚測定方法において、まず、酸化膜6bの両面での反射光により、干渉が弱められた「節」となる波長を除くように解析波長領域を設定する。そして、活性層6aに対して光を照射したことによる反射光を回折格子4aにて各波長別に分光したのち、分光された各波長別の光の干渉情報をCCDアレイ4bにて一括して取得する。その後、解析波長領域における干渉情報を用いて、活性層6aの膜厚を算出する。

請求項（抜粋）：

半導体層で構成された活性層(6a)と支持基板(6b)とによって酸化膜(6c)を挟み込んで構成されたSOI基板(6)に対して光を照射し、前記SOI基板からの反射光に基づいて前記活性層の膜厚を測定する膜厚測定方法であって、前記酸化膜の両面での反射光により、光の干渉が弱められた波長を除くように解析波長領域を設定する工程と、前記活性層に対して光を照射したことによる反射光を各波長別に分光する工程と、前記分光された各波長別の光の干渉情報を一括して取得する工程と、前記解析波長領域における前記干渉情報を用いて、前記活性層の膜厚を算出する工程とを有していることを特徴とする半導体層の膜厚測定方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 , G01B 11/06 , H01L 21/304 622 , H01L 27/12

FI (5件)：

H01L 21/66 P , G01B 11/06 Z , H01L 21/304 622 S , H01L 27/12 B , H01L 27/12 T

Fターム (21件)：

2F065AA30 , 2F065CC19 , 2F065DD04 , 2F065DD06 , 2F065FF51 , 2F065GG02 , 2F065JJ03 , 2F065JJ26 , 2F065LL02 , 2F065LL21 , 2F065LL42 , 2F065LL67 , 2F065QQ29 , 2F065SS13 , 4M106AA10 , 4M106BA04 , 4M106CA48 , 4M106DH05 , 4M106DH12 , 4M106DH31 , 4M106DH40

引用特許：

審査官引用 (4件)

多層薄膜の光学的膜厚測定装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-115645 出願人：ソニー株式会社
膜厚測定装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-306987 出願人：株式会社島津製作所
薄膜の膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いた薄膜デバイスの製造方法及びその製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-299311 出願人：株式会社日立製作所

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