特許

J-GLOBAL ID：200903050243922880

半導体発光装置

発明者： 中尾 正史 ,  近藤 康洋 ,  岡安 雅信 ,  永沼 充
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-066528
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283803
出願日： 1993年03月25日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 リッジ上の結晶成長を利用して一括成長で光結合特性のよい、DFBレーザと変調器の集積化された半導体発光装置を実現すること。【構成】 半導体基板1に形成された幅1〜10μmの2つの溝5の間にできる幅1〜3μm、高さ1〜3μmのリッジ4上に形成された半導体多層膜の発光特性が変化することを利用して、キャビティ方向に2種類の発光特性の異なった結晶層を同時に成長することによって、活性層に歪多重量子井戸構造をもつDFBレーザよりなる発光部とDFBレーザの発振波長よりも50〜80nm短波長側に吸収端をもつ多重量子井戸構造よりなる光変調器部を同一工程で形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された幅1〜10μmの2つの溝の間にできる幅1〜3μm、高さ1〜3μmのリッジ上に形成された半導体多層膜の発光特性が変化することを利用した光素子において、キャビティ方向に2種類の発光特性の異なった結晶層を同時に成長することによって、発光部と光変調器部が同一工程で形成されていることを特徴とする半導体発光装置。