特許

J-GLOBAL ID：200903050256306959

半導体ウエハー表面平坦化方法及びその装置

発明者： 稲葉 精一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-041161
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232261
出願日： 1996年02月28日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】モータ部、ギヤ、軸等の回転や揺動による周期的ノイズや被研磨材(研磨パッド、裏面パッド)の経時変化に関係なくCMPの進行状況を把握する。【解決手段】半導体ウエハーの裏面側に複数の圧力検出素子22を分布して配設し、この圧力検出素子22により研磨時の半導体ウエハーの裏面所定各点におけるの圧力を測定し比較し、圧力検出素子間による圧力の差が所定値以下になった時に研磨を終了するようにする半導体ウエハー表面平坦化方法およびその装置。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハーの表面を化学的機械的に研磨することによっ平坦化する半導体ウエハー表面平坦化方法において、前記半導体ウエハーの裏面側に複数の圧力検出素子を分布して配設し、前記圧力検出素子により研磨時の前記半導体ウエハーの裏面所定各点におけるの圧力を測定し比較し、前記圧力検出素子間による圧力の差が所定値以下になった時に前記研磨を終了するようにしたことを特徴とする半導体ウエハー表面平坦化方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/304 321 Z ,  B24B 37/00 B ,  H01L 21/306 M

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ウエハ研磨装置及びウエハ研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-342963   出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社