特許

J-GLOBAL ID：200903050281054999

半導体装置及びその製造方法

発明者： 愛場 喜孝 ,  加藤 禎胤 ,  佐藤 光孝 ,  井上 広司 ,  織茂 政一 ,  岡田 晃 ,  久保田 義浩 ,  阿部 光夫 ,  浜野 寿夫 ,  柴 典章 ,  藤沢 哲也 ,  関 正明 ,  大山 展生
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-171612
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156435
出願日： 1999年06月17日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：

【要約】【課題】本発明は表面実装型の半導体装置に関し、低コスト化及び低背化を図ると共に確実なチャッキングを行なうことを課題とする。【解決手段】半導体素子32と、外部接続端子として機能するボール34と、半導体素子32とボール34を電気的に接続する基板33Aと、少なくとも半導体素子32の一部を封止するよう配設されたモールド樹脂35Aと、基板33Aと半導体素子32との接続部を封止する接続部封止樹脂41Aとを具備し、ボール34を介して実装基板46に実装される半導体装置において、モールド樹脂35Aの熱膨張率を実装基板46の熱膨張率と整合させると共に、モールド樹脂35Aに半導体素子32の側面を保持する側面保持部42を形成し、半導体素子32の熱変形を規制する構成とする。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、外部接続端子として機能する複数の突起電極と、前記半導体素子と前記突起電極を電気的に接続するインターポーザーと、少なくとも前記半導体素子の一部、及び前記インターポーザーの一部を封止するよう配設されたモールド樹脂と、前記インターポーザーと前記半導体素子との接続部を封止する接続部封止樹脂とを具備し、前記突起電極を介して実装基板に実装される半導体装置であって、前記モールド樹脂の熱膨張率を前記実装基板の熱膨張率と整合させると共に、前記モールド樹脂に前記半導体素子の側面を保持する側面保持部を形成することにより、前記半導体素子の熱変形を規制する構成としたことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 23/50

FI (6件)：

H01L 23/28 J ,  H01L 23/28 Z ,  H01L 21/56 T ,  H01L 23/50 G ,  H01L 23/12 L ,  H01L 23/30 R

Fターム (28件)：

4M109AA01 ,  4M109BA04 ,  4M109CA05 ,  4M109CA10 ,  4M109CA12 ,  4M109CA21 ,  4M109DB17 ,  4M109EA02 ,  4M109EB11 ,  4M109EC04 ,  4M109EE05 ,  4M109GA05 ,  5F061AA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA05 ,  5F061CA10 ,  5F061CA21 ,  5F061CB02 ,  5F061DD14 ,  5F067AA01 ,  5F067AA06 ,  5F067AB04 ,  5F067BB08 ,  5F067BC12 ,  5F067BE10 ,  5F067CC03 ,  5F067CC08 ,  5F067DE07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 樹脂封止型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-274392   出願人：沖電気工業株式会社
• BGA型半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-267582   出願人：株式会社三井ハイテック