特許
J-GLOBAL ID:200903008056936412

BGA型半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 木村 高久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-267582
公開番号(公開出願番号):特開平10-116845
出願日: 1996年10月08日
公開日(公表日): 1998年05月06日
要約:
【要約】【課題】 量産性が高く、信頼性の高いコーティング方法を提供する。【解決手段】 本発明の第1のBGA型半導体装置の製造方法の特徴は、周縁端部に複数のボンディングパッドを有する半導体チップと、配線パターンを具備するとともに、前記配線パターンに接続され、突出して外部との電気的接続を行う複数の半田ボールを具備してなる絶縁性フィルムとで構成され、半導体チップの機能面側に、絶縁性部材を介して前記絶縁性フィルムを貼着するとともに、前記半導体チップの周縁部に形成された複数のボンディングパッドに前記配線パターンを接続したBGA型半導体装置の製造方法において、モールド金型20を使用して樹脂封止することにより、前記半導体チップ10の表面および前記配線パターンとの接続部をコーティング膜13で被覆するモールド工程を含むことを特徴とする。
請求項(抜粋):
周縁端部に複数のボンディングパッドを有する半導体チップと、配線パターンを具備するとともに、前記配線パターンに接続され、突出して外部との電気的接続を行う複数の半田ボールを具備してなる絶縁性フィルムとで構成され、半導体チップの機能面側に、絶縁性部材を介して前記絶縁性フィルムを貼着するとともに、前記半導体チップの周縁部に形成された複数のボンディングパッドに前記配線パターンを接続したBGA型半導体装置の製造方法において、モールド金型を使用し樹脂封止することによって、前記半導体チップの表面および前記配線パターンとの接続部をコーティング膜で被覆するモールド工程を含むことを特徴とするBGA型半導体装置の製造方法。
IPC (2件):
H01L 21/56 ,  H01L 23/12
FI (2件):
H01L 21/56 T ,  H01L 23/12 L
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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