特許
J-GLOBAL ID:200903050295036195
フッ素系イオン含有廃液の処理方法およびそれに用いる処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
松山 允之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-094146
公開番号(公開出願番号):特開2003-285071
出願日: 2002年03月29日
公開日(公表日): 2003年10月07日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、主に半導体製造工場から排出されるフッ素を含む廃液から不純物を除去し、高濃度化した上で再度、薬液として使用する薬液の製造方法およびその装置を提供することを目的とする。【解決手段】 フッ素系イオンを含有する廃液に対し、電気透析を行うことによってフッ素系イオンを一定以上の濃度まで濃縮する電気透析手段と、その前あるいは後の少なくともいずれか一方でフッ素系イオン以外のアニオンを除去する手段とから構成される。さらに、精留によってフッ化水素を高濃度化、高純度化させることもできる。
請求項(抜粋):
フッ素系イオンを含有する廃液からフッ素系イオン以外のアニオン成分の少なくとも1種類を除去するアニオン除去工程と、少なくとも1枚のアニオン膜またはカチオン膜、ならびに少なくとも1枚の陽極および少なくとも1枚の陰極から構成される透析槽に前記工程において処理されたフッ素系イオンを含有する廃液を供給し、電気的に透析することによってフッ素系イオンを濃縮する透析工程と、を有することを特徴とするフッ素系イオン含有廃液の処理方法。
IPC (11件):
C02F 1/469
, B01D 61/44 500
, B01D 61/44 520
, C02F 1/04
, C02F 1/28
, C02F 1/46 ZAB
, C02F 1/461
, C02F 9/00 502
, C02F 9/00
, C02F 9/00 503
, C02F 9/00 504
FI (13件):
B01D 61/44 500
, B01D 61/44 520
, C02F 1/04 C
, C02F 1/28 L
, C02F 1/46 ZAB
, C02F 9/00 502 B
, C02F 9/00 502 L
, C02F 9/00 502 M
, C02F 9/00 503 G
, C02F 9/00 504 B
, C02F 9/00 504 E
, C02F 1/46 103
, C02F 1/46 101 A
Fターム (41件):
4D006GA17
, 4D006KA01
, 4D006KA72
, 4D006KB01
, 4D006KB11
, 4D006KB12
, 4D006MA13
, 4D006MA14
, 4D006PA02
, 4D006PB08
, 4D006PB70
, 4D006PC01
, 4D024AA04
, 4D024AB11
, 4D024AB13
, 4D024AB14
, 4D024BA17
, 4D024BA18
, 4D024DB06
, 4D024DB09
, 4D034AA27
, 4D034BA01
, 4D034CA12
, 4D061DA08
, 4D061DB18
, 4D061DC13
, 4D061DC14
, 4D061DC17
, 4D061EA03
, 4D061EA09
, 4D061EB13
, 4D061EB20
, 4D061EB22
, 4D061EB29
, 4D061EB30
, 4D061EB37
, 4D061EB39
, 4D061FA02
, 4D061FA09
, 4D061GA06
, 4D061GC14
引用特許:
審査官引用 (6件)
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ふっ素イオンの除去方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-060512
出願人:株式会社トクヤマ
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特表平3-504374
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特開昭53-068694
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半導体製造工場の廃液処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-361386
出願人:株式会社日立製作所
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特表平3-504374
-
特開昭53-068694
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