窒化チタン薄膜形成方法及び該方法に従って形成した窒化チタン薄膜

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤本昇 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-183801
公開番号（公開出願番号）：特開2001-011623
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2001年01月16日
要約：

【要約】【課題】本発明は、材料本来の物性を発現できる高い硬度を有する窒化チタン薄膜を経済性のよい真空度において密着性を高くして金属材料表面上に形成できる窒化チタン薄膜形成方法及び該方法に従って形成した窒化チタン薄膜を提供することを課題とする。【解決手段】本発明に係わる窒化チタン薄膜形成方法は、イオンビームミキシング法によって金属材料表面上に窒素ビーム及びチタンビームを照射して窒化チタン薄膜を形成する窒化チタン薄膜形成方法であって、真空度が10mTorrより高く、前記金属材料表面の温度が20°C〜1000°Cとされ、窒素ビームがイオン化度が20%以上であり且つ0.1keV〜5keVに加速され、しかも、窒素ビーム強度INが、チタンビーム強度ITiに対してIN≧ITiとなるように設定して窒化チタン薄膜を形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

イオンビームミキシング法によって金属材料表面上に窒素ビーム及びチタンビームを照射して窒化チタン薄膜を形成する窒化チタン薄膜形成方法であって、真空度が10mTorrより高く、前記金属材料表面の温度が20°C〜1000°Cの範囲内とされ、窒素ビームがイオン化度が20%以上であり且つ0.1keV〜5keVの範囲内に加速され、しかも、窒素ビーム強度INが、チタンビーム強度ITiに対してIN≧ITiとなるように設定して窒化チタン薄膜を形成することを特徴とする窒化チタン薄膜形成方法。

IPC (2件)：

C23C 14/48 , C23C 14/06

FI (2件)：

C23C 14/48 D , C23C 14/06 A

Fターム (8件)：

4K029AA02 , 4K029BA60 , 4K029BC01 , 4K029BC02 , 4K029BD05 , 4K029CA07 , 4K029DA12 , 4K029DE02

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