多結晶シリコン薄膜及び光電変換素子並びにこれらの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：開口宗昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-245035
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087751
出願日： 1997年09月10日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】優れた結晶性を有する多結晶シリコン薄膜を高速度で製造するための多結晶シリコン薄膜の製造方法及び生産性の高い光電変換素子の製造方法及び結晶欠陥が少ない多結晶シリコン薄膜及び光電変換素子を提供する。【解決手段】第一の工程では高周波発生装置4から高周波が高周波印加用電極2に印加され反応容器1内に導入された水素化シラン化合物が各電極間においてプラズマ化されて接地電極3上に配置された基材5と接触することによって基材5上に薄い多結晶シリコン薄膜が析出し、第二の工程では反応容器1内へ供給されプラズマ化された塩素化シラン化合物は第一の工程において基材5上に形成された薄い多結晶シリコン基層と接触し、その薄い多結晶シリコン基層上に更に多結晶シリコン膜を析出する。

請求項（抜粋）：

水素化シランガスをプラズマ化し、基材と接触させることにより基材上に多結晶シリコン基層を形成する第一の工程と、少なくともハロゲン化シランを含有するガスをプラズマ化し、多結晶シリコン基層上に多結晶シリコン薄膜を析出する第二の工程とからなることを特徴とする多結晶シリコン薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 31/04 , C23C 16/24 , H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 31/04 X , C23C 16/24 , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平4-084417
光起電力素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-055730 出願人：キヤノン株式会社

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