特許
J-GLOBAL ID：200903050370391559
非晶質シリコン層の結晶化方法及びこれを使用する薄膜トランジスターの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲葉 良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-110658
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321870
出願日： 1998年04月21日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 レーザー・アニーリング(annealing)を実施して、非晶質シリコンのチャンネル領域を結晶化する工程において、キャッピング層の形成を不要にする。【解決手段】 非晶質シリコン層21に溝領域を形成する段階と、前記非晶質シリコン層にレーザーを照射して結晶化する段階を含む。厚さの違いにより溶融の程度が異なるので、領域21Aでは溶融しなかった結晶21Sをシードとして多結晶シリコンが成長し、チャネル領域21Cでは領域21Aで成長した結晶をシードとしてバウンダリ・ラテラル成長により大きな結晶が成長する。その結果、チャネル領域における境界が減り、キャリアの移動度が向上する。
請求項（抜粋）：
基板上に非晶質シリコン層を形成する段階と、前記非晶質シリコン層に溝領域を形成する段階と、前記溝領域を含む前記非晶質シリコン層をレーザーによって結晶化する段階とを備える非晶質シリコンの結晶化方法。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 627 G
, H01L 29/78 618 C
