特許
J-GLOBAL ID：200903073051337991
薄膜トランジスタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-119152
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326762
出願日： 1994年05月31日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：
【要約】【目的】 この発明は、工程を短縮し、低コスト化を実現したLDD構造と同様のオフ電流を低減する薄膜トランジスタを提供することを目的とする。【構成】 この発明は、基板1上に形成された多結晶半導体膜にチャネル部3及びソース、ドレイン領域4、5が形成され、チャネル部3上に絶縁膜6を介して、ゲート電極7が設けられた薄膜トランジスタであって、ソース、ドレイン領域4、5の多結晶半導体膜はチャネル部3の結晶粒径より小さな結晶粒径の多結晶半導体膜からなる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された多結晶半導体膜にチャネル部及びソース、ドレイン領域が形成され、上記チャネル部上に絶縁膜を介して、ゲート電極が設けられた薄膜トランジスタであって、上記ソース、ドレイン領域の多結晶半導体膜は上記チャネル領域の結晶粒径より小さな結晶粒径の多結晶半導体膜からなることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 311 S
, H01L 29/78 311 P
