特許
J-GLOBAL ID：200903050373526056
高抵抗値単結晶シリコン
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
千葉 博史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-305548
公開番号（公開出願番号）：特開平5-117092
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月14日
要約：
【要約】【目的】 高抵抗単結晶シリコンを提供する。【構成】 金属不純物濃度が各々0.1ppm以下の高純度合成石英ルツボを用いて溶融した多結晶シリコンをMCZ法で引き上げることにより製造された、抵抗値5,000〜15,000Ω・cmで、酸化誘起積層欠陥(OSF)が10個/cm2以下の高抵抗単結晶シリコン。【効果】 本発明の単結晶シリコンは、5,000〜15,000Ω・cmの高抵抗値を有し、酸化誘起積層欠陥(OSF)が10個/cm2以下の高品質単結晶シリコンであるので、CCD用やパワーデバイス用など幅広い用途を有する。
請求項（抜粋）：
全ての金属不純物濃度が各々0.1ppm以下の高純度合成石英ルツボを用いて溶融した多結晶シリコンをMCZ法で引き上げることにより製造された、抵抗値5,000〜15,000Ω・cmで、酸化誘起積層欠陥(OSF)が10個/cm2以下の高抵抗単結晶シリコン。
IPC (2件)：
C30B 29/06 502
, C30B 29/06
