特許
J-GLOBAL ID：200903050384990358

半導体装置およびその製造方法

発明者：
宮西 邦治

宮西 邦治 について

, 
岸本 亮香

岸本 亮香 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-248318
公開番号（公開出願番号）：特開2006-066700
出願日： 2004年08月27日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
【課題】 封止部材の熱変形に伴う機能劣化がなく、信頼性の高い半導体装置とする。【解決手段】 本発明は、導体配線を有する支持基板に実装された半導体素子と、該半導体素子を被覆する封止部材とを備える半導体装置であって、半導体素子107は、支持基板103との間に空隙を有するように実装されており、封止部材102は、該空隙に繋がる開口部108を有することを特徴とする半導体装置である。また、半導体素子107は、正負一対の電極を有し、該電極の少なくとも一方が導電性部材106により支持基板103の導体配線104に接合されており、開口部108を形成する凹部は、導体配線104を正負一対の配線パターンに絶縁している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
導体配線を有する支持基板に実装された半導体素子と、該半導体素子を被覆する封止部材とを備える半導体装置であって、 前記半導体素子は、前記支持基板との間に空隙を有するように実装されており、前記封止部材は、該空隙に繋がる開口部を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 N
Fターム (14件)：
5F041AA43 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA13 ,  5F041DA19 ,  5F041DA20 ,  5F041DA39 ,  5F041DA63 ,  5F041DA74 ,  5F041DA77 ,  5F041EE23
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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