特許
J-GLOBAL ID：200903050390615771
半導体レ-ザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-333124
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181360
出願日： 1992年12月14日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：
【要約】【目的】短波長(650nm未満)になっても、しきい値電流密度や、最大動作温度等の特性劣化を招かない半導体レーザ装置を提供すること。【構成】GaAs基板1上に形成された活性層4と、In<SB>0.5 </SB>(Ga<SB>1-X </SB>Al<SB>X </SB>)<SB>0.5</SB>P(0.7<x<1.0)からなる障壁層bおよびIn<SB>1-u </SB>Ga<SB>u </SB>As<SB>1-v </SB>P <SB>v </SB>(0<u<0.45,0.6>v>1)からなる井戸層wとで構成されたMWB構造5を有するp型クラッド層6と、このp型クラッド層6とともに活性層4を挾持するn型クラッド層2とを有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体からなる活性層と、井戸層の材料と障壁層のそれとが異なり、且つ前記障壁層の電子の有効質量が前記井戸層のそれより大きい多重量子障壁構造を有するp型クラッド層と、このp型クラッド層とともに前記活性層を挾持するn型クラッド層とを有することを特徴とする半導体レ-ザ装置。
引用特許：
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