特許
J-GLOBAL ID：200903050400467636
スピントランジスタ及びそれを用いた不揮発性メモリ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
平木 祐輔
, 渡辺 敏章
, 今村 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-086145
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111904
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
【課題】トランジスタ内に含まれるピン層とフリー層の相対的な磁化の向きによって出力特性を大きく変化させることができるトランジスタと、これを用いた不揮発性メモリを提供する。【解決手段】第1及び第2の強磁性障壁層2、6の磁化の向きが互いに平行な場合、アップスピンを有するスピン偏極ホットエレクトロン26がベース22に注入される。第1及び第2の強磁性障壁層2、6の磁化方向が互いに反平行な場合、ベース22にはダウンスピンを有するスピン偏極ホットエレクトロン27が注入されるが、第2の強磁性障壁層6のダウンスピンバンド端10はスピン偏極ホットエレクトロン27のエネルギーよりも高い。このため、スピン偏極ホットエレクトロン27は、第2の強磁性障壁層6の伝導帯を伝導できず、ベース22とコレクタ23との界面においてスピン依存散乱又は反射を受けてエネルギーを失う。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
スピンフィルタ効果によってスピン偏極したホットキャリアを注入するスピンインジェクタと、この注入されたスピン偏極ホットキャリアをスピンフィルタ効果によって選別するスピンアナライザと、を有することを特徴とするトランジスタ。
IPC (4件)：
H01L29/82
, G11C11/15
, H01L27/105
, H01L43/08
H01L29/82 Z
, G11C11/15 110
, H01L43/08 Z
, H01L27/10 447
出願人引用 (1件)
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半導体大事典, 19991201, 初版, P.1235
審査官引用 (1件)
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半導体大事典, 19991201, 初版, P.1235
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