特許
J-GLOBAL ID：200903050408485200
マスターマスク作成装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-182340
公開番号（公開出願番号）：特開平8-044038
出願日： 1994年08月03日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：
【要約】【目的】 工程数を増加させることなく、段差上において良好な形状を有する多層配線電極を形成できる半導体装置の製造方法等を提供する。【構成】 設計情報格納部11からの設計情報に応じ、図形作成部12により、下層,上層配線電極形成用の第1,第2マスターマスク1,2の形状を作成する。交差情報取出し部13により、設計情報格納部11から上層配線電極が少なくとも1つの下層配線電極と交差する旨の情報を取出す。補正部14により、両者が交差する部位と交差しない部位とでは上層配線電極形成用の第2マスターマスク2の幅を変えるよう補正する。例えばポジ型マスターマスクでは、交差しない部位ではマスターマスクの幅を標準値よりも細くし、露光量の不足によるフォトレジストマスクの段差底部における拡大を防止して、上層配線電極のブリッジ不良や断線不良を防止する。
請求項（抜粋）：
フォトリソグラフィー工程で使用されるマスターマスクを作成するための装置であって、設計情報を格納する設計情報格納手段と、上記設計情報格納部に格納される設計情報に応じて、半導体装置の各部の形状に対応したマスターマスクの図形を作成する図形作成手段と、上記情報格納手段の情報から上層配線電極と少なくとも1つの下層配線電極とが交差する旨の情報を取出す交差情報取出し手段と、上記交差情報取出し手段の出力を受け、上記図形作成手段で作成される上層配線電極形成用マスターマスクの幅を、上層配線電極が少なくとも1つの下層配線電極に交差する部位と交差しない部位とでは異なる幅にして、当該マスターマスクを用いて形成されるフォトレジストマスクの幅が均一になる方向に補正する補正手段とを備えたことを特徴とするマスターマスク作成装置。
IPC (5件)：
G03F 1/08
, H01L 21/027
, H01L 21/3205
, H01L 21/768
, H05K 3/46
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/88 B
, H01L 21/90 W
