特許

J-GLOBAL ID：200903050440624823

ゼオライトゾルとその製造方法、多孔質膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、層間絶縁膜及び半導体装置

発明者： 荻原 勤 ,  八木橋 不二夫 ,  中川 秀夫 ,  笹子 勝
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社 ,  松下電器産業株式会社
代理人 (4件)： 奥山 尚一 ,  有原 幸一 ,  松島 鉄男 ,  河村 英文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-329129
公開番号（公開出願番号）：特開2004-161535
出願日： 2002年11月13日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】通常の半導体プロセスに用いられる方法によって任意の膜厚に薄膜形成が可能で、かつ、誘電特性、密着性、塗膜の均一性、機械強度に優れ、薄膜形成が容易な多孔質膜を形成し得るゼオライトゾル、膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、及びこの多孔質膜を内蔵する高性能かつ高信頼性を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】従来の多孔質膜形成用塗布液に、一般式Si(OR1)4(式中、R1は炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表し、R1が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよい。)で表されるシラン化合物を構造規定剤および塩基触媒の存在下加水分解後、75°C以下で加熱処理してゼオライトゾルを製造する。このゼオライトゾルを含む多孔質膜形成用組成物を用いる。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1) Si(OR1)4 (1) (上式中、R1は炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表し、R1が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよい。) で表されるシラン化合物を構造規定剤および塩基触媒の存在下加水分解縮合後、75°C以下で加熱処理するゼオライトゾルの製造方法。

IPC (3件)：

C01B39/04 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768

FI (3件)：

C01B39/04 ,  H01L21/312 C ,  H01L21/90 J

Fターム (23件)：

4G073BB40 ,  4G073BB47 ,  4G073BB50 ,  4G073BB58 ,  4G073CZ01 ,  4G073FA07 ,  4G073FD04 ,  4G073GA01 ,  4G073UB11 ,  5F033HH11 ,  5F033KK11 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR21 ,  5F033RR23 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS22 ,  5F033TT01 ,  5F033XX24 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ゼオライト結晶のコーティング方法、ゼオライト結晶がコーティングされた基材、ゼオライト膜の製造方法、ゼオライト膜、およびゼオライト膜を利用した分離方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-082594   出願人：東レ株式会社
• 多孔質膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、層間絶縁膜及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-329128   出願人：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社