特許

J-GLOBAL ID：200903026482671734

多孔質膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、層間絶縁膜及び半導体装置

発明者： 荻原 勤 ,  八木橋 不二夫 ,  中川 秀夫 ,  笹子 勝
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社 ,  松下電器産業株式会社
代理人 (4件)： 奥山 尚一 ,  有原 幸一 ,  松島 鉄男 ,  河村 英文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-329128
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165402
出願日： 2002年11月13日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】誘電特性、密着性、塗膜の均一性、機械強度に優れ、薄膜形成が容易な多孔質膜を形成し得る膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、及びこの多孔質膜を内蔵する高性能かつ高信頼性を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】一般式(R1)nSi(OR2)4-nで表されるシラン化合物の一種以上を加水分解縮合して得られる非晶質重合体を含む溶液と、第四級アンモニウム水酸化物を用いて得られるゼオライトゾルとを含む多孔質膜形成用組成物を用いる。また、この多項質膜形成用組成物を塗布する塗布工程と、その後の乾燥工程と、多孔質化工程とを含む多孔質膜の製造方法を用いる。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1) (R1)nSi(OR2)4-n (1) (上式中、R1は置換基を有してよい炭素数1〜8の直鎖若しくは分枝状のアルキル基又はアリール基を表し、R1が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよく、R2は炭素数1〜4のアルキル基を表し、R2が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよく、nは0〜3の整数である。) で表されるシラン化合物の一種以上を加水分解縮合して得られる非晶質重合体溶液と、第四級アンモニウム水酸化物を用いて得られるゼオライトゾルとを含む多孔質膜形成用組成物。

IPC (4件)：

H01L21/316 ,  C01B39/04 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768

FI (4件)：

H01L21/316 H ,  C01B39/04 ,  H01L21/312 C ,  H01L21/90 S

Fターム (23件)：

4G073BB02 ,  4G073BB13 ,  4G073BB48 ,  4G073BB58 ,  4G073BD18 ,  4G073CZ54 ,  4G073UB12 ,  5F033GG01 ,  5F033GG02 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK11 ,  5F033RR23 ,  5F033RR29 ,  5F033SS22 ,  5F033WW01 ,  5F033XX12 ,  5F033XX24 ,  5F033XX25 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ゼオライトゾルとその製造方法、多孔質膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、層間絶縁膜及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-329129   出願人：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社
• 低誘電率非晶質シリカ系被膜形成用塗布液および該塗布液の調製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-318417   出願人：触媒化成工業株式会社, 富士通株式会社