特許
J-GLOBAL ID：200903050443727844
テラヘルツ波照射方式
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-075300
公開番号（公開出願番号）：特開2005-224580
出願日： 2004年02月16日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：
【課題】 本発明は、テラヘルツ波と他のエネルギー供給手段と組み合わせることによって、処理対象物全体に影響を与えずに、一部分だけを分子レベルで選択的に、効率良く処理できる方式を提供するものである。【解決手段】 本発明は、被照射物が有する固有の振動数のテラヘルツ波を照射する時、照射箇所を加冷・加熱手段を用いて所定の温度にすること、所定の振動数の電磁波を照射すること、所定の電圧を印加すること、所定の磁界を加えること、所定の力学的刺激を与えること、所定の酵素などを供給すること、あるいは、これらの方式を組み合わせて用いること、そして、テラヘルツ波の作用を広げるための最適構造の金属アンテナを用いることによって、上記課題を解決するものである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
生体細胞や化学薬品などの被照射物に、被照射物が有する固有の振動数近くのテラヘルツ波を照射して、測定・処理する方式において、
加冷あるいは加熱手段を用いて、被照射物の照射箇所などを所定範囲の温度に制御することを特徴とするテラヘルツ波照射方式
IPC (2件)：
FI (3件)：
A61N5/06 Z
, A61N5/00
, C12N15/00 A
4B024AA11
, 4B024AA19
, 4B024AA20
, 4B024CA01
, 4B024CA11
, 4B024EA04
, 4B024GA11
, 4B024HA14
, 4C082PA10
, 4C082PC10
, 4C082PL10
, 4C084AA11
, 4C084ZB26
, 4C084ZC71
