特許
J-GLOBAL ID：200903050446235438

エレクトロルミネッセンス表示素子及びその製造方法

発明者：
白玖 久雄

白玖 久雄 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 神保 泰三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-393077
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197378
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】【目的】 透明導電膜自体として十分な低抵抗値が得られない場合でも改質によって低抵抗化が実現されるエレクトロルミネッセンス表示素子を提供する。【構成】 有機EL表示素子は、ガラスやプラスチック等の支持基板1と、一方側電極2と、有機材料からなるEL素子部3と、他方側電極4とを有して成る。他方側電極4はITOから成る。ITOの一部は結晶化させて低抵抗化領域4aを成している。エキシマレーザー光源7から出射されるレーザビームを光学系8によってITO表面の所望の位置に合焦させて導くことにより、低抵抗化領域4aを得ることができる。
請求項（抜粋）：
陽極と陰極との間に発光物質を含む層を設け、前記陽極及び陰極によって電気エネルギーを前記発光物質に供給し発光させるエレクトロルミネッセンス表示素子において、前記陽極または陰極として用いられる透明導電膜が前記発光物質を含む層上に形成され、前記透明導電膜の一部には熱エネルギーによって改質されて成る低抵抗化領域が形成されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示素子。
IPC (3件)：
H05B 33/26 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14
FI (3件)：
H05B 33/26 Z ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A
Fターム (6件)：
3K007AB03 ,  3K007AB05 ,  3K007AB18 ,  3K007CB01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00
引用特許：
審査官引用 (6件)
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