特許
J-GLOBAL ID：200903050463799574
電界複屈折制御型液晶素子及びその製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川口 義雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-202113
公開番号（公開出願番号）：特開平6-051351
出願日： 1992年07月29日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】 均一で低チルト角の配向を実現するための配向方法を提供し、かつ高分子中に液晶分子を封入することにより液晶素子を疑似的に固体状にすることを可能にし、かつデイスプレ-の大面積化が図れるECB 素子、及び該ECB 素子の製法を提供することにある。【構成】 少なくとも一方が透明であって偏光板(10)を備えた2枚の電極(15)間に封止されるポリマ-(12)と、ポリマ-(12)中に連続及び非連続のうちの少なくともいずれか一方の形態で分散しており電極(15)から誘電率異方性が負になる周波数の電場を印加される液晶分子(14)とを含み、液晶分子(14)は該液晶分子(14)の分子軸がセルの垂直方向(V) に関して0から70°に配向されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
少なくとも一方が透明であって偏光板を備えた2枚の電極間に封止されるポリマ-と、前記ポリマ-中に連続及び非連続のうちの少なくともいずれか一方の形態で分散しており前記電極から誘電率異方性が負になる周波数の電場を印加される液晶分子とを含み、前記液晶分子は該液晶分子の分子軸がセルの垂直方向に関して0から70°に配向されていることを特徴とする電界複屈折制御型液晶素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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