研磨ポリシャ及びその製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-081158
公開番号（公開出願番号）：特開2000-288912
出願日： 1996年07月17日
公開日（公表日）： 2000年10月17日
要約：

【要約】【課題】 1.研磨による被研磨物(例えば半導体)表面の縁だれを防止または抑制できる、2.荷重がかかってもポリシャが圧縮変形を起こしにくい、3.ポリシャと研磨定盤の接合にかかる平坦度不良が発生しにくい、4、ポリシャのドレッシング(目立て)が不要である、5.λ以下の高い被研磨物(例えば半導体)の面精度を得ることができる、6.研磨ポリシャが低コストである、7.研磨ポリシャが高寿命である、という特徴の一部または全てを有する研磨ポリシャを提供すること。【解決手段】少なくとも定盤100を備えて被研磨物300の表面を研磨するCMP研磨装置に用いる研磨ポリシャであって、前記研磨ポリシャは、弾性体層101と前記弾性体層よりも硬度が大きい硬質層102との2層構造を有し、且つ、定盤100上に前記弾性体層101が形成され、さらに前記弾性体層101上に前記硬質層102が形成されてなることを特徴とする研磨ポリシャ。

請求項（抜粋）：

少なくとも定盤を備えて被研磨物の表面を研磨するCMP研磨装置に用いる研磨ポリシャであって、前記研磨ポリシャは、弾性体層と前記弾性体層よりも硬度が大きい硬質層との2層構造を有し、且つ、定盤上に前記弾性体層が形成され、さらに前記弾性体層上に前記硬質層が形成されてなることを特徴とする研磨ポリシャ。

IPC (3件)：

B24B 37/00 , H01L 21/304 621 , H01L 21/304 622

FI (3件)：

B24B 37/00 C , H01L 21/304 621 D , H01L 21/304 622 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

ウェーハの研磨板及び研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-232022 出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
半導体集積回路装置の製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-273728 出願人：株式会社日立製作所
成形複合材及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-198101 出願人：東亜紡織株式会社

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