特許

J-GLOBAL ID：200903050476691217

光導波路基板の製造方法及び光導波路基板

発明者： 牧川 新二
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-042455
公開番号（公開出願番号）：特開2002-323635
出願日： 2002年02月20日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板の表面を比較的厚く酸化して基板表面に光導波路となる石英膜を形成させる際に、シリコン原子が乖離酸化して生成するパーティクルが石英膜上に極めて少ない高品質な光導波路基板を製造する方法及び光導波路基板を提供する。【解決手段】 少なくともシリコン基板を酸化して膜厚が5μm以上の光導波路となる石英膜を基板表面に形成させる工程を有する光導波路基板を製造する方法において、前記酸化膜の形成は、一旦前記シリコン基板に0.3μm以上の酸化膜を形成させ、次に1000°C以上に加熱した酸化性雰囲気にてシリコン基板を酸化させることにより残りの酸化膜を形成することを特徴とする光導波路基板の製造方法及び光導波路基板。

請求項（抜粋）：

少なくともシリコン基板を酸化して膜厚が5μm以上の光導波路となる石英膜を基板表面に形成させる工程を有する光導波路基板を製造する方法において、前記酸化膜の形成は、一旦前記シリコン基板に膜厚が0.3μm以上の酸化膜を形成させ、次に1000°C以上に加熱した酸化性雰囲気にてシリコン基板を酸化させることにより残りの酸化膜を形成することを特徴とする光導波路基板の製造方法。

IPC (2件)：

G02B 6/13 ,  G02B 6/12

FI (2件)：

G02B 6/12 M ,  G02B 6/12 N

Fターム (3件)：

2H047QA04 ,  2H047QA07 ,  2H047TA41

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 光導波路膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-204450   出願人：信越化学工業株式会社