光導波路膜の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本亮一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-204450
公開番号（公開出願番号）：特開2001-033644
出願日： 1999年07月19日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】光導波路として、シリコン基板上に厚さ10μm以上の酸化膜を形成する際に、不純物もしくはパーティクルなどの汚染を防止した光導波路膜の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板表面に厚さが10μm以上の酸化膜を熱酸化法にて形成するに際し、該酸化膜が厚さ5μm以上育成された時点において、酸化工程を一時中断し、表面に育成された酸化膜をフッ酸水溶液にて厚さが0.5μm以下となるまでエッチング除去し、再度この上に酸化膜を育成し所望の厚さの酸化膜を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板表面に厚さが10μm以上の酸化膜を熱酸化法にて形成するに際し、該酸化膜が厚さ5μm以上育成された時点において、酸化工程を一時中断し、表面に育成された酸化膜をフッ酸水溶液にて厚さが0.5μm以下となるまでエッチング除去し、再度この上に酸化膜を育成し所望の厚さの酸化膜を形成することを特徴とする光導波路膜の製造方法。

Fターム (3件)：

2H047PA01 , 2H047QA02 , 2H047TA42

引用特許：

審査官引用 (11件)

光導波路の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-227605 出願人：信越化学工業株式会社
シリコン基板の酸化方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-165193 出願人：信越化学工業株式会社
特開平1-196129

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