特許

J-GLOBAL ID：200903050492105409

半導体装置及びその製造方法

発明者： 田畑 修 ,  宮地 幸夫 ,  藤塚 徳夫
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 萼 経夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-306793
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129642
出願日： 1995年10月31日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】 アルカリ系湿式異方性エッチングが不都合なく適用可能であり且つ性能の優れた半導体装置、及び該半導体装置を容易に得ることができるその製造方法を提供する。【解決手段】 アルカリ系湿式異方性エッチングによりシリコン半導体基板に3次元構造が形成される半導体装置において、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる層(第一の層)上に導電性で且つアルカリ系湿式異方性エッチングに耐え得る材料からなる層(第二の層)を形成する。

請求項（抜粋）：

アルカリ系湿式異方性エッチングによりシリコン半導体基板に3次元構造が形成される半導体装置において、シリコン半導体基板上に第一の層として、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる層が形成され、前記第一の層上に第二の層として、導電性で且つアルカリ系湿式異方性エッチングに耐え得る材料からなる層が形成されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 ,  C23F 1/00 ,  C23F 1/00 102 ,  C23F 1/36 ,  H01L 21/306

FI (5件)：

H01L 21/88 N ,  C23F 1/00 A ,  C23F 1/00 102 ,  C23F 1/36 ,  H01L 21/306 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-262529
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-060522   出願人：セイコー電子工業株式会社