特許

J-GLOBAL ID：200903050492878955

半導体装置の製造方法

発明者： 長岡 弘二郎
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-319403
公開番号（公開出願番号）：特開2002-129336
出願日： 2000年10月19日
公開日（公表日）： 2002年05月09日
要約：

【要約】【課題】 同一チャンバ内に搬入された半導体ウェハに例えば配線用のタングステン膜を形成した場合に、ウェハ間でタングステン膜の特性のばらつきを少なくして配線の信頼性を向上させることが可能な方法を提供する。【解決手段】 タングステン膜の成膜を行うためのチャンバの内部を所定の真空圧力に達するまで排気し、このチャンバの内部がプリコートされた後、1枚目のウェハをチャンバ内に搬入する。この1枚目のウェハに対して、タングステン膜をWF6 ガスおよびH2 ガスを用いたCVD法により成膜する。成膜が行われたウェハをチャンバから搬出した後、このチャンバに対してWF6 ガスを用いたパージ処理を行い、雰囲気を置換する。そして、チャンバ内のWF6 ガスを廃棄し、その内部を排気した後、2枚目のウェハを搬入する。以下、チャンバ内に順次搬入されるウェハに対して同様の成膜を行う。

請求項（抜粋）：

チャンバ内に半導体ウェハを搬入し、前記半導体ウェハに対して複数種類の成膜ガスを用いた気相成長法によって成膜を行う成膜工程と、前記成膜後の半導体ウェハを前記チャンバから搬出させた後、前記チャンバ内の雰囲気を、前記半導体ウェハに成膜された膜と同じ成分を含む置換ガスに置換する置換工程と、前記チャンバ内の雰囲気を置換した後、次の成膜用の半導体ウェハを搬入する前に前記チャンバ内を排気する排気工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

C23C 16/455 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (3件)：

C23C 16/455 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R

Fターム (26件)：

4K030AA06 ,  4K030AA24 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA38 ,  4K030BA48 ,  4K030CA04 ,  4K030DA06 ,  4K030DA09 ,  4K030FA01 ,  4K030HA03 ,  4K030LA15 ,  4M104AA01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB28 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD78 ,  4M104EE02 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• CVD装置のクリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-195617   出願人：日本電気株式会社
• 特開平2-150023