特許

J-GLOBAL ID：200903050504726129

基板処理装置

発明者： 木▲崎▼ 幸治
出願人/特許権者： 大日本スクリーン製造株式会社
代理人 (1件)： 大坪 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-028487
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199459
出願日： 1996年01月22日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】 基板の裏面を予め親水化しておくことにより、乾燥後の基板の裏面における洗浄液の残存を防止することのできる基板処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】 基板処理装置は、基板Wを収納したカセット1を前工程から受け取るインデクサー部3と、基板Wに各種の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた基板処理部5と、基板処理部5における各処理ユニット間で基板Wを搬送する基板搬送部7と、露光機との間で基板Wを受け渡しするインターフェース部9とから構成されている。基板Wは、インデクサー部3の搬送装置14により基板処理部5の受け渡し部15に搬送され、紫外線照射装置40の誘電体バリア放電ランプ41によりその裏面中央部に紫外線を照射される。紫外線を照射された基板Wは、基板搬送部7の主搬送装置29により受け渡し部15より搬出される。

請求項（抜粋）：

基板の受け渡し部と、前記受け渡し部に基板を搬送する第1の搬送装置と、前記第1の搬送装置により前記受け渡し部に搬送された基板を後段の処理ユニットに搬送する第2の搬送装置とを備えた基板処理装置において、前記受け渡し部に搬送された基板の裏面に紫外線を照射する紫外線ランプを前記受け渡し部に配設したことを特徴とする基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304

FI (2件)：

H01L 21/304 341 D ,  H01L 21/304 341 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体基板表面処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-195394   出願人：株式会社東芝
• 特開昭63-202921
  
• 特開昭63-202921