特許
J-GLOBAL ID：200903050509553583
電界放射型冷陰極装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-133703
公開番号（公開出願番号）：特開平8-329824
出願日： 1995年05月31日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【目的】絶縁特性に優れ、たとえ素子の一部分に絶縁破壊が生じても、その影響を最小限にとどめ、素子全体の機能に致命的なダメージを与えないような素子構造を提供する。【構成】上面が導電性のある基板上に堆積した絶縁層と導電性のゲート層およびこの絶縁層とゲート層に形成した空洞内に先端の先鋭な円錐状のエミッタ電極を有し、前記エミッタ電極の側面または前記基板上に薄い絶縁膜を有した構成である。【効果】エミッタ電極の側面または基板上の薄い絶縁膜の終端部にできたトリプルジャンクションの近傍から放出した電子が絶縁層表面に衝突しないため、電子放出の連鎖が起こらず、絶縁耐圧が大幅に向上する。
請求項（抜粋）：
上面が導電性のある基板上に堆積した絶縁層と導電性のゲート層、および前記絶縁層と前記ゲート層に形成した空洞内に設けられた先端の先鋭な略円錐状のエミッタ電極とを有する電界放射型冷陰極装置において、前記エミッタ電極の側面または前記エミッタ電極と同電位の前記基板上に絶縁膜を有し、前記絶縁膜上に前記エミッタ電極の先端を中心とした前記絶縁層を除去した空洞を有し、前記空洞内の前記絶縁膜の表面位置が前記空洞以外の部分より同一かまたは窪んでいることを特徴とする電界放射型冷陰極装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/30 B
, H01J 9/02 B
